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5 月 15 日消息，今天 2026 国际电路与系统研讨会正式开幕，华为公司董事、半导体业务总裁何庭波在本次大会上发表了指导半导体产业发展的新原则——韬（τ）定律。何庭波表示，今年秋季面世的麒麟手机芯片将采用逻辑折叠技术，性能大幅提升，“麒麟 2026”手机芯片是逻辑折叠技术的首次成功实施。从演讲会展示的 PPT 来看，“麒麟 2026”芯片与传统的 2D 设计芯片相比，晶体密度提升了 53.5%，这意味着每平方毫米的芯片面积上，可以集成 2.38 亿个晶体管，理论上与 Intel 18A 工艺持平，接近初代台积电 3nm。另外芯片的 P 核能效提升 41%，峰值频率提升 12.7%，依据韬（τ）定律路线，今年的麒麟芯片 P 核频率将达到 3.1GHz。预计到 2031 年，基于该定律的高端芯片晶体管密度将达到 1.4 纳米制程的同等水平。频率和晶体管密度稳步提升，晶体管密度将达到 400+MTr / mm²，主频频率达 5.0GHz。根据这次演讲会来看，今年华为 Mate 90 系列预计首发“麒麟2026”芯片，性能方面也会大幅提升。

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《人民日报》：华为正式发表半导体领域新定律！

“韬定律”提出以“时间缩微”替代“几何缩微”，以系统性降低时间常数（韬τ）为目标，通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，实现半导体与电子系统的持续演进。近年来，摩尔定律面临物理极限和经济效益双重挑战。随着晶体管“几何缩微”放缓，成本红利逐渐消退，如何跨越传统工艺路径的局限，探索出一条全新的可持续演进路线，以满足当下呈指数级攀升的计算性能需求，已成为全球半导体行业亟待攻克的共同难题。“韬定律”构建了贯穿器件、电路、芯片到系统层面的多层级协同优化体系。预计到2031年，基于该定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平。针对半导体行业未来的发展，何庭波表示：“未来一定属于开放合作。在‘韬定律’的路径下，我们期待与全球科学家、工程师和产业伙伴紧密合作，共同推动半导体与电子产业持续发展。”

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晶体管密度将达到 400+MTr / mm²

正常講，是不能用晶體管密度來表達3D堆疊密度

吹吹牛.....那障礙怎樣都繞不過.....這樣官宣可讓長官韬錢

支那人手搓5奈米，接近3奈米。總之遙遙領先，補貼拿到手，舉國歡騰，笑

華為9030性能與3年前高通 8Gen 2 相似，但是因工藝限制，8gen 2 的極限功耗大約在 6 瓦以下。而華為麒麟 9030 為了追上同等效能，需要把電壓和頻率拉得很高，極限功耗會飆到 9 瓦以上，因此手機會比高通更耗電，也更容易發熱，笑

一句話說明：華為晶片性能落後3年，耗電多五成，笑

妥妥的收割韭菜

笑笑到崩潰，笑

笑也好，哭也好，反正就是崩潰了，笑

阿Q勝利法

10張12nm的晶片疊起來=1.2nm？笑

T定律？笑到噴淚

如果用單位面積晶體管數比較，確實可以這樣算的

10隻烏龜就跑赢兔子了？

人民日报的报道，这含金量不用多说

這種都是在放消息拉股價，之後仍是一地雞毛

支那台灣人別婊輝達啊！

英偉達GB200機櫃約120千瓦，54伏還撐得住。 2026年底投產的Rubin VR200平臺，單櫃約200千瓦，開始吃力。 2027年下半年Rubin Ultra Kyber平臺，單櫃600千瓦到1兆瓦，54伏完全撐不住

麒麟新的晶片已經流片了，聽說頻率可以到達3.1GHz，當然這個距離驍龍最頂尖的晶片還有一段距離，不過就慢慢來吧

私人改裝你說個屁

網紅魔改賺流量有傻綠說裝風扇？？這智商真可憐

當電力不足時，優先是為民眾生活用電如空調，還是給算力予AI運作……

當然是空調囉，沒有AI還有BI跟台灣南波萬呀

算是另闢蹊徑

是不是有小白以為華為供應鏈沒有上市公司，沒有不敬的意思

今年下半年mate90就出来了，有啥好质疑的，到时候一测不就知道了，到时候你别跑

這些吹牛我都當是真的，我們來看看, 到時候熱要怎麼處理，別跟三星當初的手機一樣，熱到發癲！

這有可能刺激散熱材料和微型組件供應鏈，VC，微型熱管，壓電風扇

是啊，我記得有個1450還說要把華為打回石器時代呢，肯定是吹牛

被美國打壓前華為手機銷售有多強？你了解一下吧，笑

美國國家層面給intel的補助沒少過

這可能又要讓你失望了，華為前瞻性地研發了“微泵液冷+風扇”的主動散熱系統。可以把它理解為在手機或平板的狹小空間裡，集成了一套迷你的“水冷散熱器”。微泵驅動冷却液循環，再通過風扇將熱量吹走，這能大幅提升系統的散熱上限

哈哈，你的祖國萬歲

在多方圍堵下，還能穩定進歩，只覺得可怕

哪天，不堵了，或，被突破了，那就........

華為微泵液冷循環散熱手機殼，注意這還是2年多前的影片，目前有多行自己打聽去

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時也命也運也，
要挑戰原本光刻機的賽道和龐大利益鍊條是何等困難，
偏偏碰到美國打壓，
偏偏華為爭氣，
偏偏中國又富強又政策正確，
這下可以拋開不合時宜的摩爾定律了，
人類的科技又要向上一台階了，
從歷史上看，凡是操弄貨币貶值來試圖欺騙财富的國家，最終也必将被财富所抛棄

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華為工程師的能力強過三星很多，
就算被美國制裁下，
仍然維持生產力及堅持到現在，
開始在市場上佔一席位，
在脫離歐美日韓的技術下拙壯成長，
還可以不時收取西方日韓的專利費等等

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不搞雙標會死吧，美國補貼一些美國企業補貼吧，不是入股，就大筆美金是補貼各種製造及建廠！笑

成為"天使投資人"這件事是為了營造本身的生態系，為自己賺錢而進行投資，美國可沒撥款

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2年, 就用你的2年做設定:

針對這兩年（2024～2026年）華為手機的售後投訴與網路災情反饋，我們為您整理了整體的品質不良狀況統計，並著重分析討論度極高的摺疊螢幕系列災情：

一、 摺疊螢幕手機核心災情統計

近兩年華為推出了多款摺疊機，包括橫向摺疊的 Mate X5、Mate X6、縱向小摺疊 Pocket 2，以及首款三摺機 Mate XT 非凡大師。根據各大消費者投訴平台與社群論壇（如小紅書、抖音、什麼值得買等）的數據，摺疊機的不良狀況主要集中在以下幾點：

1. 螢幕漏液、黑屏與綠線（佔投訴量第一）

狀況表現： 許多用戶反饋手機在使用 3 個月內，在無明顯外力撞擊或擠壓的情況下，螢幕內摺痕處會突發性出現漏液、彩點、黑屏或綠線。
設計成因： 部分機型（如 Pura X、Pocket 2）被指出其原廠保護膜與螢幕表面一體化程度過高，若是原廠膜因摺疊疲勞出現微小裂紋，容易連帶拉扯螢幕層導致漏液。

2. 摺痕脫膠與隆起

狀況表現： 隨著使用時間拉長，摺痕處的填縫膠容易出現溢膠或脫膠，導致轉軸處的螢幕表面有明顯的條狀隆起，甚至在開合時能聽到細微的異音。

3. 環境溫度限制（低溫易脆裂）

狀況表現： 中國北方冬季用戶反饋，在零下 5°C 以下的低溫環境下開合手機，螢幕極易發生破裂。
官方回應： 官方雖承認此為柔性材料的物理特性限制，但許多用戶不滿包裝上未做顯著警示。

4. 三摺機（Mate XT）的硬體與軟體過渡期

作為高達 2.3 萬元人民幣（約 10.5 萬新台幣）的旗艦機，近期遭到多位科技博主與首批買家公開吐槽十大坑，主要災情包含：

螢幕品控： 多例使用 3 個月左右出現局部漏液與壞點，回收殘值暴跌。
滑動反覆跳轉： 在一摺、二摺、三摺不同的顯示型態切換時，螢幕滑動會無預警反覆跳转。
通話與音訊異常： 出現無故自動掛斷電話、藍牙耳機連線中突然變成公放（外放）的軟體衝突。
相機異常： 拍照後偶發性在相簿中找不到照片（存檔失敗），或鏡頭驗證功能重複卡死。

二、 一般常規手機（Mate/Pura 系列）的不良狀況

在一般直板手機（如 Mate 60 系列、Pura 70 系列）方面，整體良率高於摺疊機，但近兩年用戶主要投訴的災情為：
SoC自研晶片發熱與耗電： 由於採用麒麟自研晶片，在執行大型手遊或進行 4K 高畫質錄影時，部分用戶反映發熱感比高通陣營明顯，並伴隨降頻卡頓。

三、 售後維修的爭議焦點
這兩年關於華為手機品質的討論，往往有一半以上的負面情緒集中在售後判定上：

肉眼定損引發拒保爭議：
許多用戶強調在手機無摔碰、靜置桌面的情況下突發螢幕漏液，但前往官方授權維修中心時，工程師往往僅憑外殼的微小使用划痕或舊磕碰，直接主觀判定為人為損壞並拒絕免費出保。

由於摺疊螢幕的模組化程度高，一旦損壞通常需要更換螢幕總成+外殼+電池，官方維修報價動輒高達1999 至 6999 元人民幣（約新台幣 9000 到 31000 元），高昂的維修成本進一步放大了消費者的負面反饋。

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多了我不說，你PO的那個，連華為自己都救不了

回到你PO的冷卻板，為何華為自己不用，不解救他自己被人家詬病的"Mate/Pura 系列"，這個可是被嫌很大呢，不解決你怪我有疑問？我瞎不瞎掰不是重點，你PO的真的有用才是重點！

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笑死人，你說我PO的沒用，那你要提出證據阿，管你用紅字還黑字，別張口就來，網路抄一抄誰也會，哪有產品從未出包，但是你的手法攞明就是烏賊，少猥瑣了

你居然用華為手機

奇怪嗎？我去年續約一隻OPPO RENO14F給年長者很適用，客觀评论，你們做得到嗎！

我的華為平板還在用，那是鴻蒙之前華為出的最後一個平板了，我覺得還行!

他會回你，我以前待紫光，認識一堆XX高幹、將軍，結果都是至少十幾年前的事了，他腦袋已被上世紀的神教綁死，只剩嘴巴了

中國的7nm良率何時能突破

下半年出来了，你别嘴硬

如果不是真的線寬CD 3奈米呢？是不是又要躲起來狂檢舉文章下架

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不能嗎？Mate 10很棒，我對他的評價，比三星Note系列還要好，我只分析東西的本質，好東西就是好東西，但是這不代表你出了一次好東西，你的產品就通通是好東西，這沒有等號

虽然余大嘴让我对华为系从不感冒，但不黑不吹，华为真的算超强了！

我用陸貨就是陸貨品質好，你們用陸貨就是舔共資匪，外加個資洩露

不只是3D堆疊，3D堆疊一堆晶圓代工廠都會吧？！而且，已經有成品
如果說高階製程最終是在解決效率與尺寸
那，華為說的，也是個方法

3D堆疊已經用很久了，感覺應該是有不同之處，甚至不是指這件事，沒辦法，華為自己用個怪名詞

就差AI晶片了，不過華為提出新的想法，而且做出來，就看新上市手機效能如何，敢官宣相信是真的

官方媒體就能信？未必……幾個月前有個"極客灣"的自媒體扒掉國王的新衣，然後從此消失

造謠仔散去，造謠仔散去

不太一樣喔，
以前的堆疊是兩塊晶片正面對背面，
華為的方式是正面對正面，
內部接線的方式會有所不同，
反正看年底的新華為手機能搗鼓出啥來吧

晶片堆疊兩種都有，正面對背面(F2B)，TSMC 第一代 SoIC 就是這種；正面對正面(F2F)， 第二代的 SoIC 支援這種。博通 3.5D XDSiP 也是 F2F，由 TSMC 製造

我說的不太清楚，堆疊是得作兩塊出來靠接點接一起吧，摺疊就還是一塊，但有兩層，不過還沒有實際產品，等出來再看怎麼回事

華為意思是2031年之前中國還是造不出來高階光刻機

晶片堆疊早就不是新技術，
簡單說記憶體晶片，早就使用堆疊技術，
就像你電腦中的記憶體，不需要特別散熱，
因為記憶體不用計算

但是CPU、GPU等需要負責計算的晶片能堆疊嗎？熱堆疊，散熱問題絕對無法解決，物理極限是無法違反的！

更何況華為吹牛B也不是新聞，就讓他們遙遙領先吧！

等上市後的測試結果，如其所言，則拍拍手，不如預期再來打臉

沒錯，晶片堆疊是舊技術，邏輯摺疊是創新技術！

不好說！我沒有詆毀的意思，但是中國人發明詞彙的案例太多，晶片堆疊是舊技術，甚麼邏輯折疊是創新技術？結構體如果沒有改變！那就是拐著彎騙你，改個說法你就被忽悠了！

別忘了, 中國很愛幹這件事情，反正發明一個新詞，就又遙遙領先了！

快別這麼說，忽悠這事，愈是先進國家愈是會做，這叫訊息差及技術斷代

發明詞彙誰贏的過綠黨，當初你是不是被mate10忽悠了啊

看到上面幾隻逢中必反的青鳥論述，真的很好笑，
反正只要是中國大陸做出來的，青鳥們就極盡能事的詆毀，
從21世紀初就開始宣傳所謂的中國崩潰論，
結果20幾年過去了，
中國大陸不但沒崩潰，
還在科技領域、航天、新能源等領域跟歐美並駕齊驅，甚至超車

其實大家可能都忽略了一個邏輯，
如果這個成果是一家新創公司發布的，
那大概可以合理懷疑可能是為了在資本市場圈錢的畫大餅操作
但不要忘了，華為是一家沒有上市的私人公司，
他並不需要在資本市場為了集資而畫大餅，
既然沒有集資畫大餅的需求，
那華為為何要欺騙大家?
沒理由啊，不是嗎?

所以華為這個官宣的成果，
應該可以合理認為是真的，

青鳥們就不要再崩潰了，
從以前崩潰到現在，
還沒崩潰夠嗎？笑到噴淚

我們來看看, 到時候熱要怎麼處理
我們等答案！

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能忽悠IEEE絕對是強了

5月25日，在電氣電子工程師學會（IEEE）舉辦的國際電路系統研討會（ISCAS 2026）上，華為公司董事、半導體業務部總裁何庭波作了題為半導體新路徑探索與實踐的主旨演講，提出指導半導體產業發展的新原則——韜（τ）定律。

大部分選民不認識 IEEE，族群主義，仇恨對立 才是選民要的!

又遙遙領先了

沒有人說遙遙領先，在製程落後的階段，尋求其他手段來弭補差距，華為早已不再追求奈米突破，而在強調效能的追趕，最終還是要看效能，功耗這些參數的表現了

首次采用逻辑折叠技术，全球只有中國有，就是遙遙領先

人家只是介紹一個新技術而已，呆丸郎只會一根筋到底，為啥你能得出這種結論？阿是不能兩條路並行嗎？一邊搞晶片折疊，一邊搞光刻機，有互相妨礙嗎？

井蛙只知新聞看得到的EUV，怎麼會知道科技發展還有其他途徑

華為這3D堆疊是屬於設計方面，在製造方面則是中芯的技術，就跟蘋果晶片，在3D堆疊方面的設計技術，但製造方面是台積電的SoIC技術，中國大陸先進製程、3D堆疊、先進封裝、光罩，最強的都是中芯

賣的比蘋果的貴，實在難以下手

政治咖嘛，只看到那個蘋果logo腦袋就被綁架了，無視蘋果除了那顆A系列CPU，其他方面不是被超越，就是很接近了，尤其是硬體部份基本全落後

晶背供電（BSPDN）也只能減少了約 10% 到 30% 的功耗表現與發熱

逻辑折叠技术，這是老共一懷揣大商機決然的戰略轉身

100W閃充，衛星通訊，可摺疊，已經比蘋果強太多，蘋果什麼創新也沒有，為何賣這麼貴呢？交智商稅

事實是殘酷的，華為手機性能落後，耗電嚴重。只能收割韭菜，
加上其他業務（華為雲）拖累，就算共匪補貼，恐怕也是風雨飄搖，
難怪要妖言惑眾，繼續收割韭菜，反正支那韭菜平均教育程度只有國中，很好騙的，
在台灣這種先進開化地區只會被笑

目前查到的說法中，以下說法是我覺得最有可能的：原本晶片設計是平舖一大片，華為把電晶體做出垂直的，所以單位面積內塞入更多。至於散熱的問題，雖然厚度增加了不好散熱，但連線變短後功耗也降低，所以可以抵銷大部分缺點。以上非我專業，參考就好。

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這個新聞正反兩方論戰的點其實很多是失焦的。

華為在IEEE年會發表的這篇演講嚴格來說並不是技術展示，而比較像工作報告總結，和提出未來半導體技術演進的華為觀點。

半導體晶片的製作本來就是在堆疊，就算晶體管不堆疊，線路也會架橋交叉，從一開始晶片就是多層架構。而堆疊技術在封裝上也應用了很多年，現在的DDR隨便就堆了幾百層。

這邊的3D堆疊強調的是華為在chiplet上的的發展概念。Chiplet是一種半導體封裝，可以想像在半導體的發展史上。從最早的微縮電路，封裝成電子元件整合到基板上，在進一步把幾個晶粒(Die)植在微型基板(substray)再封裝成(SIP)以簡化主板複雜度，到目前進一步的把幾個分別製造的Die用半導體製程封裝成一個更大的die，改叫chiplet。

這種發展方向，其實就是系統集成在過去幾十年發生的過程，由主板系統過渡到晶片系統，華為所談的並不是什麼新技術細節，只有告訴你他接下去幾年打算做什麼，跟要為什要這樣做。

華為提出的重要概念是在摩爾定律(不曉得這是啥的先要去問一下AI)走到盡頭後，半導體預測的可持續發展規律是啥？答案就是先進封裝。摩爾定律的重點是半導體技術疊代，造成單晶體管密度和價格成反比的趨勢，這由intel創始元老Gordon Moore提出(他是張忠謨老友喔)，在過去幾十年基本有效。他提出的預測，是基於intel初期發展的經驗，而後被奉為圭臬，並被行業用來衡量自己公司技術推演是否能維持有效競爭的標準。這個定律現在面臨有兩個大問題，第一是2奈米以下製程的物理瓶頸受到量子力學影響不可能無限制微縮，其次先進生產設備的成本投資以指數增加，改變平攤效益。很多人可能不知道，台灣半導體早年生存靠的是價格競爭，在DUV之後才快速轉變成技術壁壘。

華為增加了一個新概念，把3D堆疊技術演進包含在內後，可以讓摩爾定律繼續走下去，所以這個T定律，其實應該看成摩爾定律的修正版。而對單位晶體的計算概念不變的條件下，可以換算成等效奈米製程。華為基於以自身在過去幾年跟未來幾年工作計畫上，推論這個定律存在。

而對3D堆疊，除了"堆疊"本身，華為則提出了一個比較新穎的節點規畫方式，讓電路運作效率更高，降低內部干擾和提高效率，這一點是比較需要觀察的。

由於華為的製程架構有別以往，故在設計上甚至底層的microcode到上層對應OS看起來都要有相當的變動，才能讓新架構發揮最大效能。也就是說這個框架，從IC製程，EDI工具到軟體系統整合可能都有相當顛覆性的變動。

這樣的大膽變革，地球上大概也只有華為一家能這樣搞，因為這個公司的垂直整合太完整了，跟現今高度分化的半導體產業結構完全不同。

簡單的說，這個故事其實核心是華為在遭受制裁抵制技術設備禁運等老美一連串手段下沒被搞死，進而想出的workaround苟了下來，而現在不但苟下來，還企圖把Workaround鞏固成自身優勢，這一點才是這家公司恐怖之所在。

在先進封裝製程上，目前中國仍然落後台灣韓國但局部齊平甚至領先，差距遠低於國產EUV之於阿斯麥，而且老美透過封禁手段阻斷對岸技術推進的籌碼很弱。

當然，以台灣的先進封裝技術演進，在摩爾定律走到頭之後，依然可以繼續適用Ｔ定律，而且當華為等效1.5奈米做出來的時候，估計我們可能早已經可以算等效0.5奈米了。不過在整體競爭優勢上，我認為華為等國產EUV加持後追上來是遲早的事。而老美企圖用EUV阻斷中國晶片疊代時間的戰略先被開了一個豁口。

這不禁讓人想起尼采的那句：殺不死我的，必使我更強大....嚇到吃手手

大家參考一下.....

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雖然我沒有證據，但我還是懷疑你其實是在酸那幾隻青鳥，整天亂貼沒有可信內如的東西，笑到噴淚

由於華為的製程架構有別以往，故在設計上甚至底層的microcode到上層對應OS看起來都要有相當的變動，才能讓新架構發揮最大效能。也就是說這個框架，從IC製程，EDI工具到軟體系統整合可能都有相當顛覆的變動聽了國外“專家”的分析，加上昨天新聞看到配合此架構的EDA工具推出，情況似乎是如此

大陸不是說euv光刻機搞定，還在用摺疊技術？不知哪個是真的了，下次不知又吹出什麼技術了，遙遙領先

原型機還在測試，商業化還要2-3年

對阿大陸一下說，euv光刻機搞定，一下又說成熟製程不重要，怎麼現在又推出摺疊技術接近3nm，中国五毛那一句話是真的？笑到噴淚

華為強是強，但背後少不了韭菜們的補貼，貼的了一時貼不了一世，在对岸房地產下跌下，快要沒那麼多錢可以玩這種補貼模式了

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半導體片的製作本來就是在堆疊，就算晶體管不堆疊，線路也會架橋交叉，從一開始晶片就是多層架構。而堆疊技術在封裝上也應用了很多年，現在的DDR隨便就堆了幾百層。

客觀，但是這裡是不客觀的東西
DDR, 能堆個幾百層, 是因為這東西他不跑大電流，
我們講個實在點的東西，
你看過哪個電源零件，就是那種隨隨便便規格書上就是50A以上到200A的東西，能堆疊！

再來, 我再講一點或許不客觀的東西，台積電之所以無法取代，無法複製：
1、向前, 連生產設備的方式跟規格都是台積電定義，一段歷史: 林本堅, 從尼康到ASML, 進入沉浸式, 再走入極紫外光
2、本體, 越來越精密的工藝以極強大的生產良品率調適
3、向後, 這東西要怎麼封裝, 用甚麼樣的新封裝方式, 這個COWOS跟COPOS

這中間, 還有很多東西是跨領域的，未曝光的，所以造就了台積電

又有外行的再說台積電送給美國，那只有2移轉過去，沒有1，沒有3，或許還有未曝光的4、5、6、7……送，你說說送甚麼東西？

曾經有一個大言不慚的人跟公司企圖收購台積電，是因為內部有報告，台積電,無法複製，那不是找幾個高階主管或者是挖角幾個部門就可以辦到的事，只能整體收購！

不能複製，無法整體收購，那就只好另闢蹊徑，走另一條路，不然坐著等死？只要功效能達到，管它怎麼作？

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何庭波表示，今年秋季面世的麒麟手机芯片将采用逻辑折叠技术，性能大幅提升，“麒麟 2026”手机芯片是逻辑折叠技术的首次成功实施。

从演讲会展示的 PPT 来看，“麒麟 2026”芯片与传统的 2D 设计芯片相比，晶体密度提升了 53.5%，这意味着每平方毫米的芯片面积上，可以集成 2.38 亿个晶体管，理论上与 Intel 18A 工艺持平，接近初代台积电 3nm。

另外芯片的 P 核能效提升 41%，峰值频率提升 12.7%，依据韬（τ）定律路线，今年的麒麟芯片 P 核频率将达到 3.1GHz。

簡單大意就是利用高端封裝用時間縮微替代傳統的幾何縮微

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簡單說你用3奈米製程，我用5奈米製程，但是因為我封裝方式不同傳輸時間比你短所以效能比你高，這是一個可以被驗證的觀念，到底成立與否到時候拿實體ic一測就知道，這騙不了人的！

麒麟2026晶元官宣量產時間為2026年秋季，大概率會由華為Mate90系列首發搭載，到時候全世界的半導體晶圓廠、封裝廠，甚至光刻機場所有相關產業都會買來拆

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到底麒麟2026作為全球首款商用邏輯摺疊技術的手機晶元，對比傳統2D平面設計晶片，除了晶體管密度提升53.5%達到238MTr/mm²（即每平方毫米集成2.38億個晶體管）、理論密度與Intel 18A工藝持平、接近初代台積電3nm水準外，還實現了多項性能飛躍：

P核能效提升 41% ，峰值頻率提升12.7%，達到 3.1GHz ，首次突破3GHz大關
不依賴先進EUV光刻機，可在現有成熟製程下實現性能躍升，打破了相關技術封鎖限制
按照華為「韜定律」技術路線，後續預計到2031年，晶體管密度將達到400+MTr/mm²，主頻提升至5.0GHz，等效製程能力達到1.4nm水準。

這些是很容易被驗證的，拿到ic磨開來用電子顯微鏡一層一層看，測試效能功耗，這一翻兩瞪眼！

華為一定手上測試過了才敢如此說的，要不然等這被打臉嗎？？

5奈米或7奈米製程的的ic利用高端邏輯摺疊技術封裝真能等效3奈米嗎？？這一測試就知道，華為又不是傻子，作不到他怎會出來發表？？

這種一翻兩瞪眼，誰都作不了假的！！

華為被打臉也不是一次兩次了，搞笑

這個說明聽起來像是靈衢的縮小版本，华为竟然把它的秘密武器，免费公开了？！需要從底層重構整個系統，重新制定規則

這屬於超級電腦（對岸叫超算）欉集通訊架構，是10幾年前被美國CPU禁運圍堵超算逼出來的絕技，最早摸索PCIE擴展，後來乾脆開始搞自己規格。中國在叢集擴展通訊領域已經是力冠群雄了，NV反而是追趕者

我的意思著重在傳輸方面去提升整體速度

等效3奈米不是重點，重點是多少奈米製程等效3奈米

到時候磨開來一看是7奈米製程但是實際測試能等效3奈米，而且在耗電瓦數級發熱上都能完全控制，哪這個理論就算是成功了，這種是一翻兩瞪眼，等ic出來一定全世界都會有專業測評，保證全身扒光光，哪種先進封裝到時候也是會攤在陽光下的！

沒錯，全世界都會有專業測評

天天都有新技術

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《經濟日報》綜合報導

日前巴黎華為IDI Forum 2026活動上，華為展示基於自研Die-on-Board（板上裸晶封裝，簡稱DoB）封裝技術的超大容量固態硬碟（SSD）系列。業內認為，DoB技術將為大陸AI資料中心和海量存儲場景提供國產化方案。國際記憶體行業權威媒體Blocks&Files報導指出，華為展示SSD產品中，目前已量產61.44TB和122.88TB兩款產品，245TB版本也正在規劃中。目前三星等原廠已經推出400層以上的3D NAND產品，但相關晶片涉及美國技術，所以無法向華為供應最新NAND晶片。因此，華為只能使用長江存儲等中國大陸本土廠商生產的NAND快閃記憶體，並透過封裝層面的創新提升容量密度。

“韬定律”构建了贯穿器件、电路、芯片到系统层面的多层级协同优化体系。预计到2031年，基于该定律的高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程的同等水平

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真是好，棒棒
要來對賭嗎？
我已經賭掉一個支那了，想繼續挑戰一下你支那問心仔！

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支那人最厲害的地方就是一直吹喇叭不停吹喇叭.....整天叭叭叭叭叭叭

前一個支那製EUV的牛皮破了，就換吹支那韜定律？
反正這個牛皮破了，再找下一個牛皮就對了，是這樣沒錯吧？

就問在場白痴粉紅一句話：
搞這韜定律是表示？
你們放棄支那製EUV了嗎？
你們放棄支那製EUV了嗎？
你們放棄支那製EUV了嗎？
你們放棄支那製EUV了嗎？
你們放棄支那製EUV了嗎？
你們放棄支那製EUV了嗎？

從老師傅手搓N奈米到支那EUV到現在韜定律，這喇叭一路吹下來，何時才能兌現？

你們有沒有開始準備下一隻喇叭協奏曲的主題是啥？

支那白痴粉紅不是正在“突破”的路上就是在“吹喇叭”的路上大笑大笑大笑

我真的搞不清楚這些連半導體物理都沒修過的傻粉，怎麼可以這麼死忠的一路吹喇叭？

要討論韜可以，麻煩先先先把支那EUV的喇叭帳結算一下如何？
要討論韜可以，麻煩先先先把支那EUV的喇叭帳結算一下如何？
要討論韜可以，麻煩先先先把支那EUV的喇叭帳結算一下如何？

奉勸你們這群傻粉動動腦，支那EUV割了你們這群韭菜多少？現在換韜繼續割？

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瘋子還是跑出來了，笑

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你说的2个技术不能同时存在？

二极管思维害死人XDXD

先了解下现在的半导体目的是什么，euv目的是什么再来讨论，光讨论大楼不讨论基础，就跟白痴一个样

我在玩光刻機你還在吃奶嘴，笑到噴淚，小粉紅才會相信你懂半導體，你媽才白痴！

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增廣見聞，
半導體的世界，大多數的成功方式，都是專利，都被申請過了，
大多數的不成功方式，都已經被試出來了，可以告知的就是廣為流傳的，
更多的隱藏黑科技，都是被"神話誇張"操作出來的，早就被試過了，只是沒告訴你，今天你在走一條死路，還拿出去吹牛，這.........
看專利數，
我們在談一個比例問題，
你認為一個成功的專利，後面有多少不成功的方式？
你認為台積電沒有試過，三星沒有試過的機會有多少？
上面這2家，是全世界半導體製造排名1跟2，規模也是1跟2，
你覺得華為，不是半導體製造業的翹楚，他能非幻想的實操作業搞過上面這2家？
這不會在做夢吧！

我講個發生在三星的例子，
還記得三星的2奈米Gaafet，要彎道超車台積電，記得這是3~4年前的事情嗎？還記得那時候的三星，沸沸揚揚地發佈這新聞，台積電有吭聲？沒有，後來還記得嗎，三星出來的2奈米VS台積電3奈米，效能不好，還熱，對吧！
然後，有業界的人就說話了，台積電早就把Gaafet的專利請好了，沒有拿出來用是因為還沒走到那一步，三星Gaafet的良率也就是2奈米的良率，為什麼一直弄不上去，跟這個有很大的關係，因為專利侵權問題，別忘了中國也侵權，賠了多少給台積電，三星他不敢，所以左閃右閃的,，要避過台積電的專利，所以良率一直搞不定。

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這倒是不一定，中國研發製造最近有一個案例，
張雪機車創始人張雪出身摩托車修理學徒，從14歲入行到創辦品牌，歷經20年對摩托車的執著追求，
2024年4月在重慶兩江新區正式創立張雪機車，專注中大排量高性能摩托車自主研發，
2026年3月，旗下 ZXMOTO 820RR-RS賽車 在世界超級摩托車錦標賽（WSBK）葡萄牙站WorldSSP組別連續拿下兩回合冠軍，這是 中國摩托車製造商首次在WSBK頂級賽事中奪冠 ，打破了杜卡迪、雅馬哈、川崎等國際品牌長達數十年的壟斷，
同年5月，又在WSBK匈牙利站再次拿下分站冠軍，今年已經5次奪分站冠軍..在所有新的機車品牌中前所未有的世界紀錄
在業界內杜卡迪、雅馬哈、川崎對於機車引擎 幾乎也都是專利鎖死，就是幾家用互相授權確保競爭者無法入門
杜卡迪、雅馬哈、川崎壟斷機車業也幾十年了，
機車（摩托車）引擎常見的缸數種類包括：單缸、雙缸、四缸、和六缸.這些幾乎都是各廠牌競爭之所在專利也都鎖死，很難超越
張雪就研究3缸引擎..3缸引擎是冷門的引擎..因為難以平衡容易抖動..所以一般市售機車3缸的很少..相對的專利就少..距傳聞現在研究5缸或水平對臥，就找專利少的攻克，
果然給他搞出一個3缸引擎一舉成功!!!
以前記憶體被三星海力士美光鎖死，幾百個專利鎖死，所以沒有人能做記憶體，都要跟這三家拿授權才能製造！！
中國廠商已經實現對外專利授權
長江存儲向三星、SK海力士授權混合鍵合核心專利：根據韓媒2025年公開報導，三星電子已經和長江存儲簽署專利許可協定，獲取3D NAND所需的混合鍵合專利，用於下一代V10（420-430層）閃存晶片量產; SK海力士也預計後續簽署類似協定
長江存儲自研的Xtacking架構在混合鍵合領域完成了完整專利佈局，三星、海力士研發高層數堆疊快閃記憶體時無法繞開該專利，只能主動購買授權

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我講得很清楚，成功的都被申請專利了，我沒有立場，長江存儲也去申請專利了，不是嘛？我並沒有分台灣還是韓國還是中國吧！我紫光也有很多專利，長江存儲也是我紫光下的上市公司，不是嘛？
我講的是半導體的專利，誰能成功，大數公司都會去申請專利，不管有沒有用，也不管是哪裡的公司！
機械不屬於我的專長，我不知道，不評論，
然後，你在講一個不屬於台積電領域的東西，記憶體，台積電不做這個，
那你都拿不是台積電的例子出來了，我也偏離主題，不跟你討論這個運算核心，我拿著功率元件的製程跟專利，你怎麼想？我們要不要聊MOSFET，還是Diode，還是電解電容的專利，這些台積電都沒有，
這是帶偏主題！

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我講得很清楚, 成功的都被申請專利了, 我沒有立場, 長江存儲也去申請專利了, 不是嘛? 我並沒有分台灣還是韓國還是中國吧! 我紫光也有很多專利, 長江存儲也是我紫光下的上市公司, 不是嘛?

我講的是半導體的專利, 誰能成功, 大數, 公司都會去申請專利, 不管有沒有用, 也不管是哪裡的公司!

機械不屬於我的專長, 我不知道, 不評論.

然後, 你在講一個不屬於台積電領域的東西, 記憶體, 台積電不做這個.

那你都拿不是台積電的例子出來了, 我也偏離主題, 不跟你討論這個運算核心, 我拿著功率元件的製程跟專利, 你怎麼想?

你可能沒看懂我的意思...你所謂成功的都被申請專利了..那是你的看法..不代表別人不能申請其他新專利..

因紫光集團2021年進入破產重整， 2025年底重整方案明確由湖北科投收購紫光旗下全部長江存儲相關權益 ，紫光集團自此 不再直接或間接持有長江存儲股份 。
你搞錯了吧??紫光已跟長江存儲毫無關係了??

我舉長江儲存的例子就是告訴你..三星.海力士..美光..將爾必達..西門子改名Infineon ..Qimonda..弄倒之後就3家獨大..靠專利權鎖定...

大家以前都已為專利都被這三大廠鎖死了..但是長江儲存卻能申請到新專利..導致能與三大廠交叉互相授權而生產高端記憶體!!!

所以你的意思是記憶體不算半導體??

台積電不做記憶體??那你就真的是大外行了!!!

目前全球三大HBM存儲廠商都已和台積電展開合作：

SK海力士 ：雙方最早達成合作，共同開發HBM4，HBM4基礎裸片由台積電代工，計劃2026年量產HBM4,2027年量產HBM4E，SK海力士HBM4E將採用台積電3納米工藝生產基礎裸片
三星 ：台積電與三星聯手研發HBM4，這也是雙方首次公開在HBM領域合作
美光 ：美光從HBM4E開始不再自研基礎裸片，轉為交由台積電代工，計劃2027年量產HBM4E

從HBM4開始，架構改為需要基於邏輯製程的基礎裸片，台積電憑藉先進製程優勢，成為多家廠商的代工選擇：
對標準HBM4提供 N12FFC+（成本版）和N5（高性能版） 兩種製程方案，支援12~16層堆疊，單堆帶寬超過2TB/s。
定製化的HBM4E/C-HBM4E，台積電會提供更先進的 3nm N3P製程 ，可整合記憶體控制器，能效達到HBM3E基礎裸片的2倍。 目前美光、SK海力士的HBM4E基礎裸片都已確定交由台積電代工。

你對這些一無所知嗎？呵呵！

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我看不懂你寫的意思..
所謂“比效能”和“比散熱”
效能這要如何比較??
例如華為7耐米製程等效台積電5奈米效能??
散熱要怎比..比功耗還是比溫度??

比電晶體密度?
你可能完全不懂華為的理論
這是沒意義..華為就認為他用高端封裝用時間縮微替代傳統的幾何縮微
比電晶體密度就是所謂摩爾定律靠製程壓縮體積，華為根本不走這條路
所以你比電晶體密度的用意是啥??

華為主張可能有兩點：
1、利用邏輯摺疊技術的手機晶元平方毫米集成2.38億個晶體管接近初代台積電3nm水準，但是並沒說這ic的體積大小，是否堆疊不知
2、利用先進封裝縮短傳輸時間..用較高奈米的製程等效台積電較低製程

這有啥好賭的，華為一公開販售，全世界測評機構一定將這ic扒光作完整的測試
到時候啥數據都會有，這種一翻兩瞪眼跟本騙不了人，
現在只有華為手上有晶片，他敢如此發表一定是自己有測試過，
這個不用急，等華為發表後全世界都有測評就一目了然！

不要天天喊支那人啥鬼的？？你父母不是支那人喔？？你祖輩父輩不是你口中的五毛喔？？

清明節掃墓時你要把你支那人五毛的祖上拖出來鞭屍嗎？？？

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本来芯片就是缩小的电路板，技术突破除了挑战物理极限还能干嘛？
现在华为提出用逻辑算法减少发热不是正常逻辑么，我都不知道你们反对的目标是什么
反对一个本来就存在的技术？
还是你是因为自豪专利壁垒卡人这点才总结出华为不能突破的？
有点意思，自己当裁判自己当选手能让你们自豪？

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誰反對?

你把專利叫做卡人技術? 那你是說5G華為的專利，誰都可以用?

話就點到這，我還可以跟你多說一件事，IEEE這通信協定，是老美創造拿出來的架構規則，把根本的Mac、Phy授權拿掉，你連網路都沒的用

技术突破除了挑战物理极限还能干嘛？我看到這句話! 嘴角不由得上揚, 這是哪一國的鬼話! 原來你是大外行, 你先要知道物理極限, 你才能挑戰物理極限
你知道當初的飛機, 在音速前面, 這是物理極限, 不能超越!
現在超音速有很難嗎? 還是很難, 但是已經不是認知的物理極限了.
所以你留下這句話.....外行......

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在你的世界里只有把东西缩小叫做挑战物理极限么？

把温度降低不是挑战物理吧，笑到噴淚

就你这水平已经脱离世界很久了吧

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那句話是你講的, 我沒講, 你別把話塞到我嘴巴!
請注意看
我打的是繁體字
簡體字, 是我引用你的話, 才會有簡體字

技术突破除了挑战物理极限还能干嘛？ 這句話是你說的, 有沒有看到"术,战,极,还,干", 都簡體字, 我打不出來

你是看不懂中文？前后文都看不懂？

你理解文章都是分段理解的？不知不知

你这东一句西一句的讨论的是什么啊不知不知

我說的是半導體
你才在那邊拆解.......我在回你的第一篇, 就說得很明白, 我們增廣見聞一下, 半導體這個世界他到底是怎麼一回事.
看來你把我在跟你解說的事情當成我在戳你?
你這是.....因為自卑所以要自衛嗎?

我说的不是半导体？你认为的半导体是什么？
合着你连最基本的半导体原理是什么都不知道？不知不知
我服了，就你这水平真的别讨论的，扯一些高大上的词堆砌出来的言论，连基础都是空的

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效能這要如何比較??
例如華為7耐米製程等效台積電5奈米效能??

這個很客觀的比較, 不需要操心
因為當初三星的2奈米Gaafet, 就已經拿上平台跟台積電3奈米的產品比較過了
那個時間點, 台積電的3奈米, 簡單來說, 跑分, 功耗, 都勝過三星的2奈米

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我推測一下
參考華為簡報
簡報上
今年這顆238 mtr/mm2
是用2025年的155 mtr/mm2堆疊的
那就是麒麟9030
也就是中芯N+2工藝
(Techinsight說的中芯N+3）
(23~24年開始量產的)
Techinsight切割的密度是113~120 mtr/mm2
那這樣推測今年這顆
堆疊後的實際可能密度是174~184 mtr/mm2
台積電初期N3 2-1 finFlex
切割的密度是183 MTr/mm2 (A17 pro)
所以算是真的有接近
但堆疊的缺點可能讓性能與功耗
不如初期的N3 2-1 finFlex

中芯真正的N+3工藝
24~25年開始量產
傳聞對標三星4LPP
（另有傳聞說提升到對標三星3GAE SF3E）
可能還沒用於手機SOC生產
如傳聞所說
中芯最先進的工藝
中国優先安排給中科寒武紀
以及其他AI晶片廠商

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對岸每次端出啥東西來呆島人就會膝反射的說那是吹牛，
比如說對岸早期上太空的影片，呆島名嘴嘲笑說那是在水面下拍攝的，
結果十幾年後他們都不敢再提這件事，
美國制裁華為，一堆呆島人都說華為要完了，
結果現在都2026華為沒完，業績還蒸蒸日上，
講真當下跟這些只會酸溜溜的廢物爭論沒啥屁用，
過個幾年後再來挖墳一定很好笑

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華為這晶片只要一公開發售就有全球測評，絕對全世界公測，結果一翻兩瞪眼，

這種是可以量化比較的，別急，等等搞不好就被打臉了！

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我看不懂你寫的意思，所謂比效能、比散熱效能這要如何比較？例如華為7耐米製程等效台積電5奈米效能？散熱要怎比，比功耗還是比溫度？比電晶體密度？你可能完全不懂華為的理論，這是沒意義，華為就認為他用高端封裝用時間縮微替代傳統的幾何縮微，比電晶體密度就是所謂摩爾定律靠製程壓縮體積，華為根本不走這條路，所以你比電晶體密度的用意是啥？

不用在意，這種垃圾定律笑笑就好，
我只花了三分鐘不到的時間給它，
等你要賭，我們再來討論細節！

華為主張可能有兩點：1、利用邏輯摺疊技術的手機晶元平方毫米集成2.38億個晶體管接近初代台積電3nm水準，但是並沒說這ic的體積大小，是否堆疊不知，2、利用先進封裝縮短傳輸時間，用較高奈米的製程等效台積電較低製程，這有啥好賭的。

所以支那EUV沒戲了？
現在換吹韜韜韜，還吹的振振有詞！
怎麼會沒得賭？
這垃圾技術乍看就是3D變形版，你說能不能賭？

華為一公開販售，全世界測評機構一定將這ic扒光作完整的測試，到時候啥數據都會有，這種一翻兩瞪眼跟本騙不了人，現在只有華為手上有晶片，他敢如此發表一定是自己有測試過，這個不用急，等華為發表後全世界都有測評就一目了然！

當然，我等著看它笑話

不要天天喊支那人啥鬼的？你父母不是支那人喔？你祖輩父輩不是你口中的五毛喔？清明節掃墓時你要把你支那人五毛的祖上拖出來鞭屍嗎？

我祖先三百年前就是不想當支那人才渡海來台，所以清明掃墓的時候，咱祖先應該很驕傲我是台灣人而不是支那人！

對了，我祖輩父輩好手好腳都是辛勤勞動的農民，沒時間當五毛，難道閣下爹娘是五毛出身？

還有支支支那那那華為垃圾韜！
兄弟你要不要先算一下支那EUV的帳？
當年支那傻粉喊支那EUV的時候，請問你有份嗎？

吵EUV這棟樓很多人都有份，不管華為拉什麼屎，這群傻粉都吃好吃滿，從支那EUV轉彎到韜韜韜，只需三秒，笑到噴淚

离开支那是不会说话是吧XDXD

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那300年前呢？渡海來台？哪裡渡海來台呢？還不是一樣是支那人？

你的意思是你祖上曾經是支那人是五毛到台灣隔幾代後就不是支那人不是五毛了是嗎？？

哈哈哈 那照你的說法..你到台灣來後搞不好就變成猴子是嗎？

台灣有百分之85已上的爹娘都是你所謂的支那人，5毛

包括賴清德都曾經回大陸祭祖，所以你的意思是賴清德也是支那人也是五毛嗎？

蔡英文的老爸還是日本籍，所以照你的說法蔡英文是倭奴的後代嗎？？

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華為主張可能有兩點..1.利用邏輯摺疊技術的手機晶元平方毫米集成2.38億個晶體管接近初代台積電3nm水準..但是並沒說這ic的體積大小..是否堆疊不知..2.利用先進封裝縮短傳輸時間..用較高奈米的製程等效台積電較低製程...這有啥好賭的..
所以支那EUV沒戲了？
現在換吹韜韜韜，還吹的振振有詞！
怎麼會沒得賭？
這垃圾技術乍看就是3D變形版，你說能不能賭？

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不管他是EUV還是DUV還是XXX 華為已經有的晶片經第三方測評...

第三方機構TechInsight拆解分析認為，麒麟9030PRO更接近業界標準的 6nm製程 ，對比晶體管密度來看，相當於台積電5.7~5.8nm工藝水準，整體仍和台積電量產的5nm工藝有一定差距。 也有行業討論提到，該晶元採用中芯國際N+3工藝，依靠DUV多重曝光技術，把晶體管密度做到了接近業界5nm的水準..

基於製程工藝和晶元面積計算，結合架構對晶體管利用率的優化，麒麟9030 Pro的晶體管數量約為28億個。 另有分析提到其晶體管密度約為125 MTr/mm²..

TechInsight總部位於加拿大渥太華的全球知名半導體行業觀察與分析機構..專注半導體領域，提供晶元拆解分析、半導體市場分析、成本數據建模、技術驗證以及智慧財產權諮詢等服務，覆蓋邏輯晶元、記憶體件、移動射頻等多個細分領域，全球客戶超過650家企業。這種公信力沒問題吧??

第三方測評公司測評麒麟9030PRO7奈米製程晶片等效台積電5.8到6奈米電晶體密度與效能...

所以現有麒麟9030PRO等效台積電5.8或6奈米是成立的..已出貨超過500萬台..

你為何說華為是吹牛??證據何在??還是你胡說八道完全不懂!!!

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華為拿出來比較的數據是"密度"，這樣還要比晶片面積嗎?

從HBM4開始，架構改為需要基於邏輯製程的基礎裸片，台積電憑藉先進製程優勢，成為多家廠商的代工選擇：對標準HBM4提供 N12FFC+（成本版）和N5（高性能版） 兩種製程方案，支援12~16層堆疊，單堆帶寬超過2TB/s。定製化的HBM4E/C-HBM4E，台積電會提供更先進的 3nm N3P製程 ，可整合記憶體控制器，能效達到HBM3E基礎裸片的2倍。 目前美光、SK海力士的HBM4E基礎裸片都已確定交由台積電代工。你對這些一無所知嗎??呵呵!!!

這有什麼問題嗎？
如果你把紅色粗體部分多看三秒，我相信妳不會出來耍白痴給我笑大笑大笑大笑大笑
妳拿這當台積做記憶體的證據？
妳是怕別人不知道你是外行？
妳是怕別人不知道你是外行？
妳是怕別人不知道你是外行？
閣下是不是連邏輯控制器跟記憶體都搞不清楚？
如果是的話，我原諒你，畢竟你是無知的
但我還是要笑你
大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑大笑

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那300年前呢??渡海來台??哪裡渡海來台呢??還不是一樣是支那人??
你的意思是你祖上曾經是支那人是五毛到台灣隔幾代後就不是支那人不是五毛了是嗎???
哈哈哈 那照你的說法..你到台灣來後搞不好就變成猴子是嗎??
哇，看來照閣下的白痴邏輯，你祖宗十八代，代代都五毛！
這是你的白痴邏輯，不是我的喔！

不好意思啦，大部分的台灣人都不認為自己是支那中國人，有甚麼問題嗎？

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所以現有麒麟9030PRO等效台積電5.8或6奈米是成立的，已出貨超過500萬台，
哇哇哇 來了來了
“等效等效等效”大笑大笑大笑
好大的500萬台，大笑大笑大笑
賠錢也要賣！
還是燒你支那韭菜的钱
這種爛貨也能拿來吹喇叭？

對了，當年吹支那EUV喇叭，你有份嗎？
現在燒了一堆钱後，你也轉舔韜韜韜嗎？

閣下支那賤畜還沒回答我，當年你賤畜有吹支那EUV嗎？

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從HBM4開始，架構改為需要基於邏輯製程的基礎裸片，台積電憑藉先進製程優勢，成為多家廠商的代工選擇：對標準HBM4提供 N12FFC+（成本版）和N5（高性能版） 兩種製程方案，支援12~16層堆疊，單堆帶寬超過2TB/s。定製化的HBM4E/C-HBM4E，台積電會提供更先進的 3nm N3P製程 ，可整合記憶體控制器，能效達到HBM3E基礎裸片的2倍。 目前美光、SK海力士的HBM4E基礎裸片都已確定交由台積電代工。你對這些一無所知嗎??呵呵!!!

這有什麼問題嗎？
如果你把紅色粗體部分多看三秒，我相信妳不會出來耍白痴給我笑
妳拿這當台積做記憶體的證據？
妳是怕別人不知道你是外行？
妳是怕別人不知道你是外行？
妳是怕別人不知道你是外行？
閣下是不是連邏輯控制器跟記憶體都搞不清楚？
如果是的話，我原諒你，畢竟你是無知的
但我還是要笑你

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目前美光、SK海力士的HBM4E基礎裸片都已確定交由台積電代工。你對這些一無所知嗎??呵呵

你以前說記憶體不算半導體??那現在到底是不是半導體??回答一下別當縮頭烏龜呀??

從HBM4世代開始，基礎裸片的生產逐步轉移到台積電，台積電同時提供標準HBM4和定製化C-HBM4E兩種方案，C-HBM4E才是整合記憶體控制器的定製版本。

你對HBM真是一無所知的大外行呀!!!

HBM整體結構包含記憶體控制器，但HBM儲存晶片中，控制器一般位於基礎邏輯晶片而非存儲核心晶片

台積電同時提供標準HBM4和定製化C-HBM4E..另外可整合記憶體控制器..並不是只做記憶體控制器...由此可見你完全沒概念!!!!控制器一般位於基礎邏輯晶片而非存儲核心晶片..台積電可將這記憶體控制器整合在存儲核心晶片內..

已確認由台積電代工基礎裸片的廠商

美光 ：官方明確確認HBM4E的基礎裸片不再自研，轉由台積電代工，計劃2027年量產，將同時提供JEDEC標準版和客戶定製版方案。

SK海力士 ：規劃在HBM4E上將採用台積電的 3nm工藝 生產基礎裸片，計劃2026下半年送樣、2027年量產。

三星 ：三星始終選擇自家代工廠生產HBM4E的基礎裸片，計劃2026年第二季度開始送樣，並未對外委託台積電代工。

越寫越離譜簡直就是一個大外行!!你幫幫忙行不?

就你這種水準還敢說業內???哈哈哈??菜市場業??可整合記憶體控制器

一寫就露底了??別出來丟人現眼了!!!你對HBM一無所知!!!

你認為的五毛支那人那是你的想法..蔡英文是倭奴..賴清德是五毛..那也只是你的看法!!!

照你的說法你自認300年前祖上也是五毛支那人..只是現在變成猴子..那也是你的自由!!!

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呵呵你以前說記憶體不算半導體??那現在到底是不是半導體??回答一下別當縮頭烏龜呀??
來，你爸我的說法是一般講到“代工”是指邏輯製程，不包含記憶體！
有甚麼問題嗎？
誰跟你說半導體不包含記憶體？
你做夢夢到的？

目前美光、SK海力士的HBM4E基礎裸片都已確定交由台積電代工。你對這些一無所知嗎??從HBM4世代開始，基礎裸片的生產逐步轉移到台積電，台積電同時提供標準HBM4和定製化C-HBM4E兩種方案，C-HBM4E才是整合記憶體控制器的定製版本。你對HBM真是一無所知的大外行呀!!!HBM整體結構包含記憶體控制器，但HBM儲存晶片中，控制器一般位於基礎邏輯晶片而非存儲核心晶片台積電同時提供標準HBM4和定製化C-HBM4E..另外可整合記憶體控制器..並不是只做記憶體控制器...由此可見你完全沒概念!!!!已確認由台積電代工基礎裸片的廠商美光 ：官方明確確認HBM4E的基礎裸片不再自研，轉由台積電代工，計劃2027年量產，將同時提供JEDEC標準版和客戶定製版方案。SK海力士 ：規劃在HBM4E上將採用台積電的 3nm工藝 生產基礎裸片，計劃2026下半年送樣、2027年量產。三星 ：三星始終選擇自家代工廠生產HBM4E的基礎裸片，計劃2026年第二季度開始送樣，並未對外委託台積電代工。越寫越離譜簡直就是一個大外行!!你幫幫忙行不?就你這種水準還敢說業內???哈哈哈??菜市場業??一寫就露底了??別出來丟人現眼了!!!

來，要玩文字遊戲是吧？
請問你這支那傻逼～
台積電有生產HBM的晶粒嗎？
台積電有生產HBM的晶粒嗎？
台積電有生產HBM的晶粒嗎？
沒生產晶粒，你說它有做“記憶體”？
敢問你支那傻逼“記憶體”是用來幹嘛的？
儲存！ 儲存！ 儲存！
請問你支那傻逼，台積有做晶粒嗎？

來，照你的白痴邏輯“台積電有做HBM”
來，照你的白痴邏輯“台積電有做HBM”
來，照你的白痴邏輯“台積電有做HBM”
請問你覺得台積是搞代工還是做記憶體？
請問你覺得台積是搞代工還是做記憶體？
請問你覺得台積是搞代工還是做記憶體？

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我的說法是一般講到“代工”是指邏輯製程，不包含記憶體！
有甚麼問題嗎？
誰跟你說半導體不包含記憶體？
你做夢夢到的？

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回答畜牲的答案是..代工就是代工..記憶體如果包含邏輯製程..那要歸哪一邊??

現在高端HBM含記憶體控制器..所以現在記憶體也包含邏輯製程??

你不懂嗎??

台積電有生產HBM的晶粒嗎？這又是一個白癡問題...

HBM的晶粒無法單獨工作..未經台積電加工生產無法成為一個產品...

那台積電生產時需要光刻膠.由JSR、東京應化（TOK）所以台積電不生產這些膠所以不算台積電生產??

旭化成的PBO封裝材料、日東電工的半導體膠帶、日東紡的CoWoS封裝基板這都是外部提供..所以台積電算不算生產??

那HBM的生產成品由誰生產完成??台積電生產完成!!

HBM（高頻寬記憶體）晶元本身不是單一“晶片”，而是一種由多個DRAM晶片（Die）和一個邏輯基礎晶元（Logic Die）通過3D堆疊與TSV互連構成的集成存儲模組..

台積電代工生產HBM記憶體..這說法有問題嗎??

最後的生產封裝測是偕是由台積電完成..所以台積電代工生產HBM記憶體說法是成立的!!!

你敢說他不成立嗎??

不是我玩文字遊戲..是你一開始就沒看懂我寫啥!!!

HBM（高頻寬記憶體）晶元本身不是單一“晶片”，而是一種由多個DRAM晶片（Die）和一個邏輯基礎晶元（Logic Die）通過3D堆疊與TSV互連構成的集成存儲模組..台積電代工生產HBM記憶體..這說法有問題嗎??最後的生產封裝測是偕是由台積電完成..所以台積電代工生產HBM記憶體說法是成立的!!!你敢說他不成立嗎??不是我玩文字遊戲..是你一開始就沒看懂我寫啥!!!

喔！
這白痴邏輯真可笑
動土典禮鏟兩下，開幕剪個彩就到處說這棟大樓是你家？
這是中國特色色式傻逼邏輯嗎？
海力士美光三星應該會哭死！
台積應該請你去當公關好好宣傳一下，可惜你這傻逼已經被支那用五毛高薪聘請！

這白痴邏輯真可笑
動土典禮鏟兩下，開幕剪個彩就到處說這棟大樓是你家？
這是中國特色色式傻逼邏輯嗎？
海力士美光三星應該會哭死！
台積應該請你去當公關好好宣傳一下，可惜你這傻逼已經被支那用五毛高薪聘請！

自己是傻子看不懂中文你怪誰...

你看..你又在鬼扯胡說了..三星可沒讓台積電代工..你張口又在胡說八道..信口開河了!!!
你是不是又錯了??

SK海力士 跟美光 都對外宣稱HBM4E 開始由台積電代工生產HBM...

三星是自己四奈米製程!!!

正主都說是台積電代工了..你這個雜毛傻逼還在這裡瞎逼逼啥??

整天只會出來丟人現眼..滿口胡說..天天被打臉...

還業內??什麼業??廢棄物清理業?你要笑死人喔!!!

你看..你又在鬼扯胡說了..三星可沒讓台積電代工..你張口又在胡說八道..信口開河了!!!你是不是又錯了??SK海力士 跟美光 都對外宣稱HBM4E 開始由台積電代工生產HBM...三星是自己四奈米製程!!!正主都說是台積電代工了..你這個雜毛傻逼還在這裡瞎逼逼啥??

來，我什麼時候說上面紅色那句話？
有我輸你100萬，沒有你發道歉文即可，敢不敢賭？

來，什麼叫海力士美光三星會哭？

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